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IMBG65R022M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 64 A, 650 V, 0.022 ohm, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R022M1HXTMA1
Code Commande26AK5704
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Fiche technique
819 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 20,850 $ |
| 10+ | 14,700 $ |
| 25+ | 14,220 $ |
| 50+ | 13,770 $ |
| 100+ | 13,290 $ |
| 250+ | 12,470 $ |
| 500+ | 11,670 $ |
| 1000+ | 10,850 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
20,85 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R022M1HXTMA1
Code Commande26AK5704
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.022ohm
On Resistance Rds(on)0.022ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd300W
Power Dissipation300W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.022ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
300W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
300W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits