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IMBG75R011M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 750V, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG75R011M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande14AN9654
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
Votre numéro de pièce
50 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 30,280 $ |
| 50+ | 28,380 $ |
| 100+ | 26,100 $ |
| 250+ | 24,260 $ |
| 500+ | 22,230 $ |
| 1000+ | 20,860 $ |
| 2500+ | 19,810 $ |
| 5000+ | 18,620 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
30,28 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG75R011M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant53 semaines
Code Commande14AN9654
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id129A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.0138ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation416W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
129A
Drain Source On State Resistance
0.0138ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
416W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit