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IMW120R007M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 0.007 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R007M1HXKSA1
Code Commande32AK4929
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
159 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 93,760 $ |
| 10+ | 92,610 $ |
| 25+ | 76,750 $ |
| 50+ | 76,380 $ |
| 100+ | 76,330 $ |
| 480+ | 76,260 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
93,76 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R007M1HXKSA1
Code Commande32AK4929
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Drain Source On State Resistance0.007ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation750W
Power Dissipation Pd750W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation Pd
750W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
225A
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
750W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits