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IMW120R014M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 127 A, 1.2 kV, 0.014 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R014M1HXKSA1
Code Commande32AK4930
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
9 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 51,730 $ |
| 5+ | 48,360 $ |
| 10+ | 45,010 $ |
| 25+ | 41,650 $ |
| 50+ | 38,280 $ |
| 100+ | 38,130 $ |
| 480+ | 37,960 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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51,73 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R014M1HXKSA1
Code Commande32AK4930
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id127A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.014ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation Pd455W
Power Dissipation455W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.014ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation
455W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
127A
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
455W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit