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IMW120R020M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.019 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R020M1HXKSA1
Code Commande32AK4931
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
333 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 37,120 $ |
| 10+ | 32,420 $ |
| 25+ | 28,050 $ |
| 50+ | 27,480 $ |
| 100+ | 27,250 $ |
| 480+ | 26,570 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
37,12 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R020M1HXKSA1
Code Commande32AK4931
Gamme de produitCoolSiC Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.019ohm
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation375W
Power Dissipation Pd375W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation Pd
375W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Drain Source On State Resistance
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit