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IMW65R027M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 47 A, 650 V, 27 mohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R027M1HXKSA1
Code Commande78AH7248
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
184 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,270 $ |
| 10+ | 16,570 $ |
| 25+ | 16,230 $ |
| 50+ | 15,670 $ |
| 100+ | 15,290 $ |
| 480+ | 14,900 $ |
| 720+ | 14,890 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
23,27 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R027M1HXKSA1
Code Commande78AH7248
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id47A
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance27mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd189W
Power Dissipation189W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Drain Source On State Resistance
27mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
189W
Product Range
CoolSiC M1
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
47A
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
189W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit