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IPAN60R180P7SXKSA1
MOSFET, N-CH, 600V, 18A, 150DEG C, 26W
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPAN60R180P7SXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande42AH1811
Gamme de produitCoolMOS P7
Votre numéro de pièce
669 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,800 $ |
| 10+ | 2,740 $ |
| 100+ | 1,660 $ |
| 500+ | 1,330 $ |
| 1000+ | 1,230 $ |
| 2500+ | 1,140 $ |
| 5000+ | 1,040 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,80 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPAN60R180P7SXKSA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande42AH1811
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.145ohm
Drain Source On State Resistance0.145ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Power Dissipation Pd26W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation26W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.145ohm
Transistor Case Style
TO-220FP
Power Dissipation Pd
26W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.145ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
26W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit