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IPB016N08NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 80V, 170A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB016N08NF2SATMA1Copie
Code Commande63AK1699
Gamme de produitStronglRFET Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,650 $ |
| 10+ | 5,110 $ |
| 25+ | 4,620 $ |
| 50+ | 4,130 $ |
| 100+ | 3,650 $ |
| 250+ | 3,530 $ |
| 500+ | 3,420 $ |
| 1600+ | 3,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB016N08NF2SATMA1Copie
Code Commande63AK1699
Gamme de produitStronglRFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance1300µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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