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IPB017N10N5LFATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB017N10N5LFATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5149
Mise en bobine93AC7097RL
Bandes découpées93AC7097
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
2 996 En Stock
2 996 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,880 $ | 10,88 $ |
| Total Prix | 10,88 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,880 $ |
| 50+ | 7,170 $ |
| 100+ | 6,860 $ |
| 250+ | 6,550 $ |
| 500+ | 6,230 $ |
| 1000+ | 5,880 $ |
| 2500+ | 5,850 $ |
| 5000+ | 5,740 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 5,400 $ |
| 3000+ | 5,290 $ |
| 5000+ | 5,190 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB017N10N5LFATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant36 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5149
Mise en bobine93AC7097RL
Bandes découpées93AC7097
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id180A
On Resistance Rds(on)0.0015ohm
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd313W
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation313W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0015ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
313W
Power Dissipation
313W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPB017N10N5LFATMA1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit