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IPB025N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 0.0025 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB025N08N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande60R2648
Egalement appeléIPB025N08N3 G, SP000311980
Votre numéro de pièce
975 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,360 $ |
| 10+ | 4,900 $ |
| 25+ | 4,440 $ |
| 50+ | 3,980 $ |
| 100+ | 3,510 $ |
| 250+ | 3,460 $ |
| 500+ | 3,400 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
7,36 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB025N08N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant17 semaines
Code Commande60R2648
Egalement appeléIPB025N08N3 G, SP000311980
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.002ohm
Drain Source On State Resistance0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd300W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPB025N08N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading benchmark OptiMOS™ technology. It is the market leader in highly efficient solutions for power generation, power supply and power consumption applications.
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control, LED Lighting, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.002ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
300W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPB025N08N3GATMA1
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit