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IPB026N06NATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB026N06NATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2002RL
Bandes découpées50Y2002
Votre numéro de pièce
398 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 6,580 $ | 6,58 $ |
| Total Prix | 6,58 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,580 $ |
| 50+ | 3,610 $ |
| 100+ | 3,320 $ |
| 250+ | 3,110 $ |
| 500+ | 2,880 $ |
| 1000+ | 2,830 $ |
| 2500+ | 2,770 $ |
| 5000+ | 2,720 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB026N06NATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant12 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2002RL
Bandes découpées50Y2002
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation136W
Power Dissipation Pd136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
Optima's™ 5 power-transistor optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition this device is a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
- 100% avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- System cost reduction
- Very low voltage overshoot
- N-channel, normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit