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IPB033N10N5LFATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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1 817 En Stock
1 817 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,120 $ | 10,12 $ |
| Total Prix | 10,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,120 $ |
| 50+ | 5,940 $ |
| 100+ | 5,530 $ |
| 250+ | 5,380 $ |
| 500+ | 5,210 $ |
| 1000+ | 5,110 $ |
| 2500+ | 5,000 $ |
| 5000+ | 4,900 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 4,590 $ |
| 3000+ | 4,480 $ |
| 5000+ | 4,400 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB033N10N5LFATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5153
Mise en bobine93AC7099RL
Bandes découpées93AC7099
Gamme de produitOptiMOS 5
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation Pd179W
Power Dissipation179W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IPB033N10N5LFATMA1 is a 100V OptiMOSTM5LinearFET ideal for hot-swap and e-fuse applications.
- Very low on-resistance RDS(on)
- Wide safe operating area SOA
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
179W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPB033N10N5LFATMA1
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit