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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB039N10N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande47W3465
Egalement appeléIPB039N10N3 G, SP000482428
Votre numéro de pièce
2 687 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,870 $ |
| 10+ | 3,490 $ |
| 25+ | 3,230 $ |
| 50+ | 2,950 $ |
| 100+ | 2,690 $ |
| 250+ | 2,490 $ |
| 500+ | 2,310 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,87 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB039N10N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande47W3465
Egalement appeléIPB039N10N3 G, SP000482428
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id160A
On Resistance Rds(on)0.0033ohm
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd214W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation214W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPB039N10N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Environmentally friendly
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Halogen-free, Green device
- MSL1 rated 2
Applications
Power Management, Audio, Motor Drive & Control, Industrial, Automotive
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0033ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
214W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits
