Imprimer la page
IPB072N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB072N15N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5161
Mise en bobine60R2666RL
Bandes découpées60R2666
Egalement appeléIPB072N15N3 G, SP000386664
Votre numéro de pièce
5 928 En Stock
5 928 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,980 $ | 5,98 $ |
| Total Prix | 5,98 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,980 $ |
| 50+ | 3,810 $ |
| 100+ | 2,870 $ |
| 250+ | 2,650 $ |
| 500+ | 2,510 $ |
| 1000+ | 2,450 $ |
| 2500+ | 2,410 $ |
| 5000+ | 2,350 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,700 $ |
| 3000+ | 2,520 $ |
| 5000+ | 2,460 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB072N15N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5161
Mise en bobine60R2666RL
Bandes découpées60R2666
Egalement appeléIPB072N15N3 G, SP000386664
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd300W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPB072N15N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with low resistance, excellent switching performance, increased efficiency, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and smallest board-space consumption.
- Environment-friendly
- High power density
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Audio
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
300W
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPB072N15N3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit