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IPB110N20N3LFATMA1
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 88 A, 11 mohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 38 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,420 $ |
| 10+ | 7,730 $ |
| 25+ | 7,050 $ |
| 50+ | 6,340 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
11,42 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB110N20N3LFATMA1Copie
Code Commande93AC7102
Gamme de produitOptiMOS 3
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id88A
Drain Source On State Resistance11mohm
On Resistance Rds(on)0.0098ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.2V
Power Dissipation Pd250W
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
250W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
88A
On Resistance Rds(on)
0.0098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.2V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit