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IPB120N06S403ATMA2
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, 175DEG C, 167W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB120N06S403ATMA2
Code Commande42AH1819
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
747 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,530 $ |
| 10+ | 3,410 $ |
| 25+ | 3,150 $ |
| 50+ | 2,890 $ |
| 100+ | 2,640 $ |
| 250+ | 2,410 $ |
| 500+ | 2,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,53 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB120N06S403ATMA2
Code Commande42AH1819
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
On Resistance Rds(on)0.0023ohm
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd167W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0023ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
167W
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits