Imprimer la page
IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB160N04S4H1ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine12AC9703RL
Bandes découpées12AC9703
Gamme de produitOptiMOS-T2
Votre numéro de pièce
8 292 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,880 $ | 4,88 $ |
| Total Prix | 4,88 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,880 $ |
| 50+ | 3,180 $ |
| 100+ | 2,220 $ |
| 250+ | 2,000 $ |
| 500+ | 1,790 $ |
| 1000+ | 1,660 $ |
| 2500+ | 1,630 $ |
| 5000+ | 1,590 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB160N04S4H1ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine12AC9703RL
Bandes découpées12AC9703
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id160A
On Resistance Rds(on)0.0014ohm
Drain Source On State Resistance1400µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd167W
Power Dissipation167W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0014ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
167W
No. of Pins
7Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
160A
Drain Source On State Resistance
1400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit