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IPB60R045P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 61A, 150DEG C, 201W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R045P7ATMA1
Code Commande42AH1821
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
678 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,150 $ |
| 10+ | 5,720 $ |
| 25+ | 5,400 $ |
| 50+ | 5,060 $ |
| 100+ | 4,730 $ |
| 250+ | 4,510 $ |
| 500+ | 4,420 $ |
| 1000+ | 4,160 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,15 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R045P7ATMA1
Code Commande42AH1821
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance0.038ohm
On Resistance Rds(on)0.038ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd201W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation201W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
On Resistance Rds(on)
0.038ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
201W
Power Dissipation
201W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits