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IPB60R125C6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 30 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R125C6ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande30T1828
Gamme de produitCoolMOS C6
Votre numéro de pièce
30 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,120 $ |
| 10+ | 5,420 $ |
| 25+ | 4,840 $ |
| 50+ | 4,260 $ |
| 100+ | 3,880 $ |
| 250+ | 3,710 $ |
| 500+ | 3,530 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
8,12 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R125C6ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande30T1828
Gamme de produitCoolMOS C6
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.125ohm
On Resistance Rds(on)0.11ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd219W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation219W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
2Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
219W
Power Dissipation
219W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPB60R125C6ATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit