Imprimer la page
IPB64N25S320ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
1 137 En Stock
Vous en voulez davantage ?
458 Stock des États-Unis: livraison standard disponible en 2 à 3 jours si vous commandez avant 18h EST
679 Stock du Royaume-Uni disponible avec livraison de 4-6 jours ouvrables
Commander avant 18:00
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 11,120 $ | 11,12 $ |
| Total Prix | 11,12 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 11,120 $ |
| 10+ | 7,440 $ |
| 25+ | 6,790 $ |
| 50+ | 6,150 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB64N25S320ATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine13AC9030
Bandes découpées13AC9030
Gamme de produitOptiMOS T
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
IPB64N25S320ATMA1 is a OptiMOS®-T power-transistor. Potential application includes hybrid inverter, DC/DC, piezo injection.
- N-channel - enhancement mode, AEC qualified, robust packages with superior quality and reliability
- 100% Avalanche tested, optimized total gate charge enables smaller driver output stages
- Drain-source breakdown voltage is 250V min (VGS=0V, ID= 1mA, Tj = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 20mohm max (VGS=10V, ID=64A, Tj = 25°C)
- Continuous drain current is 64A max (TC=25°C, VGS = 10V), power dissipation is 300W
- Gate threshold voltage range from 2.0 to 4.0V (VDS=V GS, ID=270µA, Tj = 25°C)
- Low switching and conduction power losses for high thermal efficiency
- Rise time is 20ns typ (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- Fall time is 12ns typ (VDD=100V, VGS=10V, ID=25A, RG=1.6ohm, Tj = 25°C)
- PG-TO263-3-2 package, operating temperature range from -55 to +175°C
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
64A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPB64N25S320ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit