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IPB65R045C7ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 46 A, 0.045 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R045C7ATMA2Copie
Code Commande28AH2680
Gamme de produitCoolMOS C7
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,230 $ |
| 10+ | 10,780 $ |
| 25+ | 10,080 $ |
| 50+ | 9,400 $ |
| 100+ | 8,710 $ |
| 250+ | 8,660 $ |
| 500+ | 8,610 $ |
| 1000+ | 8,110 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R045C7ATMA2Copie
Code Commande28AH2680
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id46A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.04ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation Pd227W
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
227W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
46A
On Resistance Rds(on)
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit