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IPB65R090CFD7ATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 25A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R090CFD7ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande45AJ4669
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ
Votre numéro de pièce
64 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,000 $ |
| 10+ | 6,040 $ |
| 25+ | 5,470 $ |
| 50+ | 4,900 $ |
| 100+ | 4,340 $ |
| 250+ | 4,170 $ |
| 500+ | 3,990 $ |
| 1000+ | 3,730 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
9,00 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R090CFD7ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande45AJ4669
Gamme de produitCoolMOS CFD7 SJ
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.068ohm
On Resistance Rds(on)0.068ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd127W
Power Dissipation127W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7 SJ
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
127W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7 SJ
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
On Resistance Rds(on)
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
127W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit