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IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET, N-CH, AEC-Q101, 650V, TO-263-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R110CFDAATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9032RL
Bandes découpées13AC9032
Gamme de produitCoolMOS CFDA
Votre numéro de pièce
2 207 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,800 $ | 9,80 $ |
| Total Prix | 9,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,800 $ |
| 50+ | 5,220 $ |
| 100+ | 4,790 $ |
| 250+ | 4,410 $ |
| 500+ | 4,160 $ |
| 1000+ | 4,070 $ |
| 2500+ | 3,990 $ |
| 5000+ | 3,910 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R110CFDAATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine13AC9032RL
Bandes découpées13AC9032
Gamme de produitCoolMOS CFDA
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
On Resistance Rds(on)0.099ohm
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation277.8mW
Power Dissipation Pd277.8mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
650V CoolMOS™ CFDA power transistor a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs.
- Designed according to the superjunction (SJ) principle
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and EOSS
- Easy to use/drive
- Qualified according to AEC Q101
- Designed for switching applications
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.099ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
277.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPB65R110CFDAATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit