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IPB65R115CFD7AATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-263/D2PAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R115CFD7AATMA1
Code Commande91AH7684
Gamme de produitCoolMOS CFD7A SJ
Fiche technique
672 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,410 $ |
| 10+ | 4,130 $ |
| 25+ | 3,920 $ |
| 50+ | 3,710 $ |
| 100+ | 3,480 $ |
| 250+ | 3,300 $ |
| 500+ | 3,200 $ |
| 1000+ | 3,090 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
4,41 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R115CFD7AATMA1
Code Commande91AH7684
Gamme de produitCoolMOS CFD7A SJ
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.103ohm
Drain Source On State Resistance0.103ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation114W
Power Dissipation Pd114W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7A SJ
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.103ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
114W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7A SJ
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
0.103ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
114W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits