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IPB65R150CFDATMA2
MOSFET, N-CH, 650V, 22.4A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R150CFDATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande03AJ1834
Gamme de produitCoolMOS CFD2
Votre numéro de pièce
893 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,590 $ |
| 10+ | 4,340 $ |
| 25+ | 3,910 $ |
| 50+ | 3,480 $ |
| 100+ | 3,060 $ |
| 250+ | 2,840 $ |
| 500+ | 2,620 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,59 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R150CFDATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande03AJ1834
Gamme de produitCoolMOS CFD2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id22.4A
On Resistance Rds(on)0.135ohm
Drain Source On State Resistance0.135ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation195.3W
Power Dissipation Pd195.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.135ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
195.3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
22.4A
Drain Source On State Resistance
0.135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
195.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit