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IPB65R190CFDATMA2
MOSFET, N-CH, 650V, 17.5A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R190CFDATMA2
Code Commande03AJ1835
Gamme de produitCoolMOS CFD2
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 22 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,010 $ |
| 10+ | 4,200 $ |
| 25+ | 3,850 $ |
| 50+ | 3,510 $ |
| 100+ | 3,170 $ |
| 250+ | 3,020 $ |
| 500+ | 2,880 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,01 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R190CFDATMA2
Code Commande03AJ1835
Gamme de produitCoolMOS CFD2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id17.5A
Drain Source On State Resistance0.171ohm
On Resistance Rds(on)0.171ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation151W
Power Dissipation Pd151W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD2
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.171ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
151W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD2
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
17.5A
On Resistance Rds(on)
0.171ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
151W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits