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IPB80N04S404ATMA1
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB80N04S404ATMA1
Code Commande34AC1660
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
2 253 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,130 $ |
| 10+ | 2,010 $ |
| 25+ | 1,800 $ |
| 50+ | 1,570 $ |
| 100+ | 1,370 $ |
| 250+ | 1,230 $ |
| 500+ | 1,100 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,13 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB80N04S404ATMA1
Code Commande34AC1660
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0039ohm
On Resistance Rds(on)0.0039ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd71W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0039ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0039ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
71W
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPB80N04S404ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits