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IPB80N04S4L04ATMA1
MOSFET SINGLE, 80A, 40V, 71W, TO-263-3 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB80N04S4L04ATMA1
Code Commande
Mise en bobine73AJ7094
Bandes découpées73AJ7094
Gamme de produitOptiMOS-T2
Votre numéro de pièce
Fiche technique
2 223 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,740 $ |
| 10+ | 3,190 $ |
| 25+ | 2,880 $ |
| 50+ | 2,590 $ |
| 100+ | 2,280 $ |
| 250+ | 2,100 $ |
| 500+ | 1,910 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB80N04S4L04ATMA1
Code Commande
Mise en bobine73AJ7094
Bandes découpées73AJ7094
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance3400µohm
On Resistance Rds(on)0.0034ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation71W
Power Dissipation Pd71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.0034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits