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IPB90R340C3ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB90R340C3ATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5184
Mise en bobine02AH6890RL
Bandes découpées02AH6890
Gamme de produitCoolMOS Series
Votre numéro de pièce
2 461 En Stock
2 461 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 9,170 $ | 9,17 $ |
| Total Prix | 9,17 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,170 $ |
| 50+ | 6,010 $ |
| 100+ | 4,440 $ |
| 250+ | 4,290 $ |
| 500+ | 4,120 $ |
| 1000+ | 3,640 $ |
| 2500+ | 3,560 $ |
| 5000+ | 3,490 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 3,640 $ |
| 3000+ | 3,540 $ |
| 5000+ | 3,470 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB90R340C3ATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant18 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5184
Mise en bobine02AH6890RL
Bandes découpées02AH6890
Gamme de produitCoolMOS Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds900V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source On State Resistance0.34ohm
On Resistance Rds(on)0.28ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
900V
Drain Source On State Resistance
0.34ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
On Resistance Rds(on)
0.28ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit