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IPD029N04NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 40V, 131A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD029N04NF2SATMA1Copie
Code Commande68AK5318
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,380 $ |
| 10+ | 1,490 $ |
| 25+ | 1,330 $ |
| 50+ | 1,170 $ |
| 100+ | 1,010 $ |
| 250+ | 0,900 $ |
| 500+ | 0,793 $ |
| 1000+ | 0,723 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD029N04NF2SATMA1Copie
Code Commande68AK5318
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id131A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
131A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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