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IPD031N06L3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD031N06L3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5188
Mise en bobine50Y2019RL
Bandes découpées50Y2019
Votre numéro de pièce
1 377 En Stock
1 377 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,450 $ | 4,45 $ |
| Total Prix | 4,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,450 $ |
| 50+ | 2,200 $ |
| 100+ | 1,990 $ |
| 250+ | 1,790 $ |
| 500+ | 1,600 $ |
| 1000+ | 1,570 $ |
| 2500+ | 1,530 $ |
| 5000+ | 1,500 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,440 $ |
| 7500+ | 1,340 $ |
| 12500+ | 1,310 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD031N06L3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant19 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5188
Mise en bobine50Y2019RL
Bandes découpées50Y2019
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance3100µohm
On Resistance Rds(on)0.0025ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd167W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPD031N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3100µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
167W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPD031N06L3GATMA1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit