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IPD036N04LGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 90 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,600 $ | 13,00 $ |
| Total Prix | 13,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,600 $ |
| 10+ | 1,640 $ |
| 25+ | 1,460 $ |
| 50+ | 1,290 $ |
| 100+ | 1,110 $ |
| 250+ | 0,987 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD036N04LGATMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine38AJ3763
Bandes découpées38AJ3763
Gamme de produitOptiMOS 3
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance3600µohm
On Resistance Rds(on)0.003ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation94W
Power Dissipation Pd94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3600µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.003ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit