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IPD048N06L3GBTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD048N06L3GBTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2020RL
Bandes découpées50Y2020
Egalement appeléSP000453334
Votre numéro de pièce
676 En Stock
Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,480 $ | 1,48 $ |
| Total Prix | 1,48 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,480 $ |
| 50+ | 1,290 $ |
| 100+ | 1,160 $ |
| 250+ | 1,050 $ |
| 500+ | 0,878 $ |
| 1000+ | 0,777 $ |
| 2500+ | 0,676 $ |
| 5000+ | 0,647 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD048N06L3GBTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant22 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2020RL
Bandes découpées50Y2020
Egalement appeléSP000453334
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0037ohm
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd115W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produits de remplacement pour IPD048N06L3GBTMA1
5 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The IPD048N06L3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Very low ON-resistance RDS (ON)
- Ideal for fast switching applications
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Optimized technology for DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% Avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0037ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
115W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit