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IPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD053N08N3GATMA1
Code Commande60R2692
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléIPD053N08N3 G, SP001127818
Fiche technique
17 076 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,010 $ |
| 10+ | 1,690 $ |
| 100+ | 1,510 $ |
| 500+ | 1,460 $ |
| 1000+ | 1,440 $ |
| 2500+ | 1,390 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,01 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD053N08N3GATMA1
Code Commande60R2692
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Egalement appeléIPD053N08N3 G, SP001127818
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance0.0053ohm
On Resistance Rds(on)0.0044ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IPD053N08N3 G is a N-channel OptiMOS™ 3 Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM) and superior thermal resistance. Optimized technology for DC/DC converters. Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.
- Dual sided cooling
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Applications
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0053ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
On Resistance Rds(on)
0.0044ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD053N08N3GATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits