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IPD055N08NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 98 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD055N08NF2SATMA1
Code Commande63AK1709
Gamme de produitStronglRFET Series
Fiche technique
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| 10+ | 0,855 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD055N08NF2SATMA1
Code Commande63AK1709
Gamme de produitStronglRFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source On State Resistance4700µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
4700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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