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| 10+ | 1,280 $ |
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| 250+ | 1,190 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD082N10N3GATMA1
Code Commande12AC9706
Gamme de produitOptiMOS 3
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0082ohm
On Resistance Rds(on)0.007ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IPD082N10N3GATMA1
3 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
- OptiMOS™3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0082ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
On Resistance Rds(on)
0.007ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit