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IPD122N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 59 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,850 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 25+ | 1,210 $ |
| 50+ | 1,160 $ |
| 100+ | 1,100 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD122N10N3GATMA1
Code Commande85X6027
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id59A
On Resistance Rds(on)0.0105ohm
Drain Source On State Resistance0.0122ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation94W
Power Dissipation Pd94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IPD122N10N3GATMA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- OptiMOS®3 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0105ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
Drain Source On State Resistance
0.0122ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit