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IPD200N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD200N15N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5204
Mise en bobine60R2704RL
Bandes découpées60R2704
Egalement appeléIPD200N15N3 G, SP001127820
Votre numéro de pièce
28 726 En Stock
28 726 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,160 $ | 4,16 $ |
| Total Prix | 4,16 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,160 $ |
| 50+ | 2,240 $ |
| 100+ | 1,960 $ |
| 250+ | 1,810 $ |
| 500+ | 1,640 $ |
| 1000+ | 1,580 $ |
| 2500+ | 1,490 $ |
| 5000+ | 1,460 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 2,030 $ |
| 5000+ | 1,990 $ |
| 7500+ | 1,930 $ |
| 12500+ | 1,890 $ |
| 25000+ | 1,860 $ |
| 62500+ | 1,820 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD200N15N3GATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5204
Mise en bobine60R2704RL
Bandes découpées60R2704
Egalement appeléIPD200N15N3 G, SP001127820
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd150W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPD200N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS (on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM). The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Excellent switching performance
- Environmentally-friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy to design
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Audio
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPD200N15N3GATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit