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IPD25CN10NGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 35 A, 0.025 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD25CN10NGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande47W3470
Egalement appeléIPD25CN10N G, SP001127810
Votre numéro de pièce
2 005 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,390 $ |
| 10+ | 1,510 $ |
| 100+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,801 $ |
| 1000+ | 0,732 $ |
| 2500+ | 0,718 $ |
| 10000+ | 0,703 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,39 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD25CN10NGATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande47W3470
Egalement appeléIPD25CN10N G, SP001127810
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd71W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPD25CN10N G is a 100V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to other transistors, this MOSFET achieves a reduction of 30% in both RDS (on) and FOM (Figure of Merit). The OptiMOS™ MOSFET offers industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
- Excellent switching performance
- Environmentally-friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy to design
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Audio
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
71W
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits