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IPD30N03S4L14ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 30 A, 0.0136 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD30N03S4L14ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2031RL
Bandes découpées50Y2031
Votre numéro de pièce
39 108 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,610 $ | 1,61 $ |
| Total Prix | 1,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,610 $ |
| 50+ | 0,742 $ |
| 100+ | 0,658 $ |
| 250+ | 0,584 $ |
| 500+ | 0,508 $ |
| 1000+ | 0,498 $ |
| 2500+ | 0,487 $ |
| 5000+ | 0,477 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD30N03S4L14ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine50Y2031RL
Bandes découpées50Y2031
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id30A
On Resistance Rds(on)0.0112ohm
Drain Source On State Resistance0.0136ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd31W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The IPD30N03S4L-14 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
- Ultra low RDS (ON)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0112ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
31W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.0136ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD30N03S4L14ATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit