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IPD35N10S3L26ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 35 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD35N10S3L26ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5209
Mise en bobine50Y2034RL
Bandes découpées50Y2034
Gamme de produitOptiMOS T Series
Votre numéro de pièce
1 044 En Stock
1 044 disponibles sur {packagingType}
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Disponible jusqu à épuisement du stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,250 $ | 3,25 $ |
| Total Prix | 3,25 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,250 $ |
| 50+ | 2,000 $ |
| 100+ | 1,430 $ |
| 250+ | 1,250 $ |
| 500+ | 1,070 $ |
| 1000+ | 1,050 $ |
| 2500+ | 0,960 $ |
| 5000+ | 0,940 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,000 $ |
| 7500+ | 0,909 $ |
| 12500+ | 0,893 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD35N10S3L26ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5209
Mise en bobine50Y2034RL
Bandes découpées50Y2034
Gamme de produitOptiMOS T Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd71W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IPD35N10S3L26ATMA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IPD35N10S3L-26 is a N-channel enhancement-mode MOSFET with lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency.
- AEC-Q101 qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Robust packages with superior quality and reliability
- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
71W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit