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IPD50N04S4L08ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 50 A, 0.0073 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50N04S4L08ATMA1
Code Commande12AC9711
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
24 373 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,300 $ |
| 10+ | 1,000 $ |
| 25+ | 1,000 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,50 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50N04S4L08ATMA1
Code Commande12AC9711
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0073ohm
On Resistance Rds(on)0.0062ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd46W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation46W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0073ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
46W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
46W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD50N04S4L08ATMA1
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits