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IPD50N06S409ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50N06S409ATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5213
Mise en bobine49AC0293RL
Bandes découpées49AC0293
Gamme de produitOptiMOS T2
Votre numéro de pièce
4 390 En Stock
4 390 disponibles sur {packagingType}
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,890 $ | 14,45 $ |
| Total Prix | 14,45 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,890 $ |
| 10+ | 1,850 $ |
| 15+ | 1,700 $ |
| 25+ | 1,540 $ |
| 50+ | 1,390 $ |
| 125+ | 1,240 $ |
| 250+ | 1,210 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,997 $ |
| 5000+ | 0,957 $ |
| 7500+ | 0,916 $ |
| 12500+ | 0,897 $ |
| 25000+ | 0,879 $ |
| 62500+ | 0,861 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50N06S409ATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK5213
Mise en bobine49AC0293RL
Bandes découpées49AC0293
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0071ohm
Drain Source On State Resistance9000µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd71W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation71W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0071ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
71W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
9000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
71W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD50N06S409ATMA2
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit