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IPD50P03P4L11ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50P03P4L11ATMA2
Code Commande51AH5905
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,535 $ |
| 10+ | 0,535 $ |
| 25+ | 0,535 $ |
| 50+ | 0,535 $ |
| 100+ | 0,535 $ |
| 250+ | 0,535 $ |
| 500+ | 0,535 $ |
| 1000+ | 0,535 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50P03P4L11ATMA2
Code Commande51AH5905
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0105ohm
On Resistance Rds(on)0.0083ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd58W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0105ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
58W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0083ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit