Imprimer la page
IPD60N10S4L12ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60N10S4L12ATMA1
Code Commande13AC9043
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
511 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,936 $ |
| 10+ | 0,936 $ |
| 25+ | 0,936 $ |
| 50+ | 0,936 $ |
| 100+ | 0,904 $ |
| 250+ | 0,886 $ |
| 500+ | 0,841 $ |
| 1000+ | 0,811 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,94 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60N10S4L12ATMA1
Code Commande13AC9043
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0098ohm
Drain Source On State Resistance0.012ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd94W
Power Dissipation94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0098ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
94W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.012ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPD60N10S4L12ATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit