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IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 6.8A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R1K0CEAUMA1
Code Commande34AC1675
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
12 062 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,260 $ |
| 10+ | 0,909 $ |
| 25+ | 0,826 $ |
| 50+ | 0,741 $ |
| 100+ | 0,658 $ |
| 250+ | 0,613 $ |
| 500+ | 0,568 $ |
| 1000+ | 0,519 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,26 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R1K0CEAUMA1
Code Commande34AC1675
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.86ohm
On Resistance Rds(on)0.86ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd61W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation61W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.86ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
61W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
On Resistance Rds(on)
0.86ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
61W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits