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IPD60R1K0PFD7SAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 4.7A, TO-252/DPAK ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R1K0PFD7SAUMA1
Code Commande91AH7686
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
1 067 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,450 $ |
| 10+ | 1,110 $ |
| 25+ | 1,010 $ |
| 50+ | 0,912 $ |
| 100+ | 0,815 $ |
| 250+ | 0,758 $ |
| 500+ | 0,701 $ |
| 1000+ | 0,654 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,45 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R1K0PFD7SAUMA1
Code Commande91AH7686
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id4.7A
On Resistance Rds(on)0.84ohm
Drain Source On State Resistance0.84ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd26W
Power Dissipation26W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.84ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
26W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.84ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
26W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits