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IPD60R360PFD7SAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 10A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R360PFD7SAUMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine78AH7257
Bandes découpées78AH7257
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,660 $ | 2,66 $ |
| Total Prix | 2,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,660 $ |
| 10+ | 1,780 $ |
| 25+ | 1,620 $ |
| 50+ | 1,440 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
| 250+ | 1,150 $ |
| 500+ | 1,040 $ |
| 1000+ | 0,968 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R360PFD7SAUMA1Copie
Code Commande
Mise en bobine78AH7257
Bandes découpées78AH7257
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance0.303ohm
On Resistance Rds(on)0.303ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation43W
Power Dissipation Pd43W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.303ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
43W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS PFD7 SJ
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
On Resistance Rds(on)
0.303ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
43W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit