Imprimer la page
IPD65R660CFDAATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 150DEG C, 62.5W
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD65R660CFDAATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine39AH8910RL
Bandes découpées39AH8910
Gamme de produitCoolMOS CFDA
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,420 $ | 3,42 $ |
| Total Prix | 3,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,420 $ |
| 50+ | 1,670 $ |
| 100+ | 1,500 $ |
| 250+ | 1,350 $ |
| 500+ | 1,200 $ |
| 1000+ | 1,170 $ |
| 2500+ | 1,150 $ |
| 5000+ | 1,120 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD65R660CFDAATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant20 semaines
Code Commande
Mise en bobine39AH8910RL
Bandes découpées39AH8910
Gamme de produitCoolMOS CFDA
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.594ohm
Drain Source On State Resistance0.594ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFDA
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.594ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFDA
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.594ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit