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IPD70P04P4L08ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 70 A, 0.0078 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD70P04P4L08ATMA2
Code Commande51AH5909
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
11 799 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,807 $ |
| 10+ | 0,807 $ |
| 25+ | 0,807 $ |
| 50+ | 0,807 $ |
| 100+ | 0,807 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD70P04P4L08ATMA2
Code Commande51AH5909
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id70A
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Drain Source On State Resistance7800µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd75W
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Drain Source On State Resistance
7800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
75W
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD70P04P4L08ATMA2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit